5.5億美元規(guī)模的SiC市場(chǎng),有哪些機(jī)遇與挑戰(zhàn)行業(yè)動(dòng)態(tài)ROHM技術(shù)社區(qū)

2018年7月9日 隨著以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料（即第三代半導(dǎo)體材料）設(shè)備、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展,SiC和GaN基的電力電子器件逐漸成為 

半導(dǎo)體科普五半導(dǎo)體材料、工藝和設(shè)備 知乎專欄

2018年7月2日 第三代半導(dǎo)體材料有氮化鎵（GaN）,金剛石（也叫鉆石）,碳化硅（SiC,也叫莫 實(shí)現(xiàn)以上工藝的設(shè)備有,氧化爐、光刻機(jī)、顯影機(jī)、刻蝕機(jī)、鍍膜機(jī)、注入機(jī)等等。 短波長(zhǎng)的紫外線做光刻的曝光光源行啦,那么制造難點(diǎn)究竟在哪呢？

SiC器件定制 BASiC l 基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件領(lǐng)軍品牌

于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,對(duì)碳化硅器件的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、制造 根據(jù)客戶的設(shè)計(jì)要求,整合基本半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)工藝模塊,提供完整的器件定制工藝解決方案： 退火、高溫氧化等全套工藝設(shè)備,提供完整的器件生產(chǎn)或部分工藝步驟定制；. ? 全生產(chǎn)流程可控,標(biāo)準(zhǔn)化的工藝模塊,包括的碳化硅深溝槽刻蝕,柵氧工藝 

全球碳化硅晶片的主要生產(chǎn)商之一 北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司

自行研發(fā),設(shè)計(jì)制造了碳化硅晶體生長(zhǎng)的設(shè)備,采用創(chuàng)新的技術(shù)路線實(shí)現(xiàn)碳化硅晶體生長(zhǎng) 自行研發(fā)了碳化硅晶片加工的關(guān)鍵工藝技術(shù)：針對(duì)超硬的碳化硅,選取適當(dāng) 

我國(guó)半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破半導(dǎo)體碳化硅材料_

2018年6月6日 臺(tái)碳化硅（SiC）單晶生長(zhǎng)設(shè)備正在高速運(yùn)行,SiC單晶在這100臺(tái)設(shè)備里" 粉料和單晶生長(zhǎng)爐條件下,還需要對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)、調(diào)試和優(yōu)化。

中國(guó)研制成功世界口徑單體碳化硅反射鏡_吉林頻道_鳳凰網(wǎng)

2018年8月22日 成功世界上迄今公開(kāi)報(bào)道的口徑單體碳化硅(SiC)反射鏡——直徑4.03米口徑高精度碳化硅非球面反射鏡,并且核心制造設(shè)備以及制造工藝都 

線切割用碳化硅新型干法生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)介_(kāi)粉體技術(shù)_粉體圈

針對(duì)這些問(wèn)題,國(guó)內(nèi)某些知名企業(yè)從國(guó)外引進(jìn)了新型的線切割用碳化硅干法工藝生產(chǎn)線。該生產(chǎn)線的核心設(shè)備是高壓輥磨機(jī)和在線式粒度控制系統(tǒng)。該生產(chǎn)線生產(chǎn)出的 

我國(guó)半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破半導(dǎo)體碳化硅材料_

2018年6月6日 臺(tái)碳化硅（SiC）單晶生長(zhǎng)設(shè)備正在高速運(yùn)行,SiC單晶在這100臺(tái)設(shè)備里" 粉料和單晶生長(zhǎng)爐條件下,還需要對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)、調(diào)試和優(yōu)化。

碳化硅信息 技術(shù) Littelfuse

醫(yī)療診斷與分析設(shè)備 · 醫(yī)療成像設(shè)備 · 便攜醫(yī)療設(shè)備 · 電源設(shè)備 此外,這里還提供針對(duì)我們碳化硅產(chǎn)品的評(píng)估套件參考設(shè)計(jì),以加快將來(lái)的設(shè)計(jì)周期。 動(dòng)態(tài)表征平臺(tái) 基于每個(gè)周期評(píng)估Littelfuse碳化硅器件的開(kāi)關(guān)特性。 該視頻介紹了我們的碳化硅技術(shù)投資歷史以及使碳化硅成為電力電子領(lǐng)域主流應(yīng)用的制造工藝創(chuàng)新。

時(shí)代電氣6英寸碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)化基地技術(shù)調(diào)試圓滿完成_首頁(yè)_手機(jī)端

2017年12月22日 12月10日,時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成,標(biāo)志著SiC芯片 時(shí)代電氣6英寸碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)化基地技術(shù)調(diào)試圓滿完成 的生產(chǎn)條件,可以實(shí)現(xiàn)4寸及6寸SiC SBD、PiN、MOSFET等器件的研發(fā)與制造。

我國(guó)碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備研發(fā)取得重大進(jìn)展 國(guó)家科技部

2018年5月6日 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是全球戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)新的制高點(diǎn)。 同時(shí),設(shè)備的銷售價(jià)格可控制在同類進(jìn)口設(shè)備的2/3以下,有力支撐了國(guó)內(nèi)SiC 進(jìn)行的器件制造工藝驗(yàn)證和生產(chǎn)數(shù)據(jù)表明,采用國(guó)產(chǎn)裝備制造的SiC器件產(chǎn)品 

Ferrotec全球 陶瓷產(chǎn)品 Ferrotec全球 Ferrotec Global

設(shè)備相關(guān)產(chǎn)品制造過(guò)程中不可或缺的設(shè)備 在半導(dǎo)體制造工藝以及其他領(lǐng)域中被廣泛使用并且是具有高強(qiáng)度,高純度,高耐熱性等 氣相沉積碳化硅產(chǎn)品（CVDSiC).

我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破 中國(guó)日?qǐng)?bào)網(wǎng) 金融頻道

2017年10月24日 通常,國(guó)際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱之為第三代 方面性能尤為明顯,由于第三代半導(dǎo)體材料的制造裝備對(duì)設(shè)備真空度、高溫 及其配套生長(zhǎng)工藝的成功研發(fā),有效促進(jìn)了碳化硅襯底、外延、器件等制造 

全球碳化硅晶片的主要生產(chǎn)商之一 北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司

自行研發(fā),設(shè)計(jì)制造了碳化硅晶體生長(zhǎng)的設(shè)備,采用創(chuàng)新的技術(shù)路線實(shí)現(xiàn)碳化硅晶體生長(zhǎng) 自行研發(fā)了碳化硅晶片加工的關(guān)鍵工藝技術(shù)：針對(duì)超硬的碳化硅,選取適當(dāng) 

我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破

近日,863 計(jì)劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域"大尺寸SiC 材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù) 通常,國(guó)際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱之為第三代半導(dǎo).

4米量級(jí)高精度SiC非球面反射鏡制造系統(tǒng) 中國(guó)科學(xué)院院刊

歐美國(guó)家在大口徑SiC光學(xué)反射鏡制造技術(shù)方面處于壟斷地位,具有1.5 m量 鍍膜的制造設(shè)備研制與制造工藝研究,形成了4 m量級(jí)高精度SiC非球面集成制造平臺(tái), 

SiC器件定制 BASiC l 基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件領(lǐng)軍品牌

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2019上海國(guó)際硅業(yè)展覽會(huì)

硅：金屬硅、多晶硅、單晶硅、碳化硅、非晶硅、有機(jī)硅、硅粉、硅鈣鋇、硅鐵、硅石、 高溫硫化硅橡膠；硅橡膠及制品制造加工設(shè)備、儀器儀表：混煉,真空捏合機(jī),開(kāi)煉機(jī), 硅業(yè)設(shè)備及工藝技術(shù)：全套生產(chǎn)線、鑄錠爐、坩堝、生長(zhǎng)爐、蝕刻設(shè)備、清洗設(shè)備、 

碳化硅 北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司

【金光炫技】 "世紀(jì)金光"碳化硅晶片劃片裂片工藝再添新高！ 材料劃裂片方案,引進(jìn)國(guó)際上先進(jìn)的SiC劃片裂片設(shè)備,建立了國(guó)內(nèi)條SiC晶圓劃裂片量產(chǎn)生產(chǎn)線。

半導(dǎo)體科普五半導(dǎo)體材料、工藝和設(shè)備 知乎專欄

2018年7月2日 第三代半導(dǎo)體材料有氮化鎵（GaN）,金剛石（也叫鉆石）,碳化硅（SiC,也叫莫 實(shí)現(xiàn)以上工藝的設(shè)備有,氧化爐、光刻機(jī)、顯影機(jī)、刻蝕機(jī)、鍍膜機(jī)、注入機(jī)等等。 短波長(zhǎng)的紫外線做光刻的曝光光源行啦,那么制造難點(diǎn)究竟在哪呢？

應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)的特種石墨 SGL Group

碳化硅涂層石墨材料. 應(yīng)用于 的材料,我們成為許多的原始設(shè)備制造商 半導(dǎo)體晶片. 碳化硅(SiC). Si. 單晶提拉. (CZ工藝). 襯底晶片. 半導(dǎo)體晶片. 硅(Si).

我國(guó)半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破地方要聞區(qū)域創(chuàng)新

2018年6月5日 我國(guó)半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破. 硅（SiC）單晶生長(zhǎng)設(shè)備正在高速運(yùn)行,碳化硅（SiC）單晶在這100臺(tái)設(shè)備里"奮力"生長(zhǎng)。 單晶,在具備高純SiC粉料和單晶生長(zhǎng)爐條件下,還需要對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)、調(diào)試和優(yōu)化。

生產(chǎn)工藝山東濰坊玻美玻璃儀器有限公司使用安全！選擇"玻美"新型換

生產(chǎn)工藝. · 產(chǎn)品名稱： 碳化硅換熱器. · 產(chǎn)品詳細(xì)介紹. 碳化硅換熱器是一種利用碳化 碳化硅化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、制作的設(shè)備重量輕而強(qiáng)度高, 

河北靈壽碳化硅微粉生產(chǎn)工藝 雷蒙磨粉機(jī)

整個(gè)碳化硅微粉生產(chǎn)工藝流程運(yùn)行高效,物料在各個(gè)設(shè)備之間高效流通,人員操作方便,整條生產(chǎn)線的占地面積小,節(jié)省土地投資成本。公司為河北用戶組建的碳化硅 

碳化硅與氮化鎵材料的同與不同 OFweek電子工程網(wǎng)

2018年8月16日 盡管如此,但碳化硅與氮化鎵的產(chǎn)業(yè)難題仍待解決,如我國(guó)材料的制造工藝和質(zhì)量并未達(dá)到世界,材料制造設(shè)備依賴于進(jìn)口嚴(yán)重,碳化硅與氮化