深入探討碳化硅工藝：半導體材料的新一代繼承者世強元件電商

2016年3月9日 碳化硅SiC材料的性能、SiC器件展現出的優(yōu)良特性以及功率半導體器件的需求持續增長(cháng),激勵著(zhù)人們對其工藝與器件開(kāi)發(fā)上孜孜不倦的追求。

4米大口徑碳化硅非球面光學(xué)反射鏡研制成功新華網(wǎng) 新華社

2018年8月23日 4米大口徑碳化硅非球面光學(xué)反射鏡研制成功（記者唐婷）"我們完成了 高精度碳化硅（SiC）非球面反射鏡制造,對其核心制造設備以及制造工藝 

β/α復合碳化硅技術(shù)陶瓷的制備工藝與性能研究《西安科技大學(xué)》2015年

【摘要】：碳化硅陶瓷具有硬度高、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化性能強、抗熱震性佳、熱穩定性強、熱膨脹系數低以及導熱系數高等優(yōu)點(diǎn),一直是材料學(xué)研究熱點(diǎn)之一。本文在前 

黑碳化硅微粉生產(chǎn)工藝流程淄博金晶川新材料科技有限公司

2018年1月30日 黑碳化硅微粉經(jīng)過(guò)多個(gè)工藝流程煉制成不同粒度,滿(mǎn)足不同工業(yè)需求,嚴格的原材料選配以及嚴格的生產(chǎn)工藝是質(zhì)量的關(guān)鍵。一、原料.

SiC器件定制 BASiC l 基本半導體碳化硅功率器件領(lǐng)軍品牌

完整的4/6寸生產(chǎn)流程線(xiàn),擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設備,提供完整的器件生產(chǎn)或部分工藝步驟定制；. ? 全生產(chǎn)流程可控, 

功率器件工藝材料雙雄并起：SiC和GaN基礎器件與非網(wǎng)

碳化硅的結構特性及優(yōu)缺點(diǎn). 碳化硅（SiC）俗稱(chēng)金剛砂,為硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。自1893年起碳化 

SiC材料有哪些的性能？ 知乎專(zhuān)欄

上世紀四五十年代,以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的代半導體材料奠定了微電子產(chǎn)業(yè)的基礎。經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展,硅材料的制備與工藝日臻,Si基器件的設計和開(kāi)發(fā) 

SiC器件定制 BASiC l 基本半導體碳化硅功率器件領(lǐng)軍品牌

完整的4/6寸生產(chǎn)流程線(xiàn),擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設備,提供完整的器件生產(chǎn)或部分工藝步驟定制；. ? 全生產(chǎn)流程可控, 

BASiC l 基本半導體碳化硅功率器件領(lǐng)軍品牌

深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體領(lǐng)軍企業(yè),致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,對碳化硅器件的材料制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動(dòng)應用 

SiC tubes with CARBOGUARD? wrapping for heat exchangers 西格

碳纖維纏繞技術(shù)轉移碳化硅管——對碳化硅熱交換器的額外保護及可靠性. 對于涉及高度腐蝕介質(zhì)的嚴苛應用領(lǐng)域,工藝技術(shù)業(yè)務(wù)部提供具有碳化硅（SiC）管的管式 

研究人員發(fā)現低成本生產(chǎn)SiC的工藝電子工程專(zhuān)輯

2017年9月28日 為了降低SiC的制造成本,美國北卡羅萊納州立大學(xué)的研究人員設計了一種PRESiCE工藝,并搭配TI XFab實(shí)現低成本的SiC功率MOSFET

碳化硅SiC陶瓷的燒結工藝簡(jiǎn)述 佳日豐泰

碳化硅陶瓷材料具有高溫強度大,高溫抗氧化性強,耐磨損性能好,熱穩定性,熱彭脹系數小,熱導率大,硬度高,抗熱震和耐化學(xué)腐蝕等優(yōu)良特性。在汽車(chē)、機械化工、 

中車(chē)時(shí)代電氣6英寸碳化硅（SiC）生產(chǎn)線(xiàn)首批芯片試制成功_首頁(yè)_株洲中

2018年1月30日 時(shí)代電氣半導體事業(yè)部6英寸碳化硅（SiC）生產(chǎn)線(xiàn)是國內首條6英寸SiC 芯片結構設計、高溫離子注入機等50余臺工藝設備和90余項工藝調試, 

功率器件工藝材料雙雄并起：SiC和GaN基礎器件與非網(wǎng)

碳化硅的結構特性及優(yōu)缺點(diǎn). 碳化硅（SiC）俗稱(chēng)金剛砂,為硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。自1893年起碳化 

SiC材料有哪些的性能？ 知乎專(zhuān)欄

上世紀四五十年代,以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的代半導體材料奠定了微電子產(chǎn)業(yè)的基礎。經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展,硅材料的制備與工藝日臻,Si基器件的設計和開(kāi)發(fā) 

深入探討碳化硅工藝：半導體材料的新一代繼承者世強元件電商

2016年3月9日 碳化硅SiC材料的性能、SiC器件展現出的優(yōu)良特性以及功率半導體器件的需求持續增長(cháng),激勵著(zhù)人們對其工藝與器件開(kāi)發(fā)上孜孜不倦的追求。

碳化硅 北京世紀金光半導體有限公司

【金光炫技】 "世紀金光"碳化硅晶片劃片裂片工藝再添新高！ 碳化硅晶片是第三代半導體關(guān)鍵基礎材料,在微電子、電力電子和半導體照明器件等領(lǐng)域有著(zhù)重要的應用和 

中科院成功研制4.03米世界口徑單體碳化硅反射鏡 新浪科技

2018年8月21日 大口徑光學(xué)反射鏡的制造難度,主要集中在反射鏡鏡坯制造、反射鏡光學(xué)加工等制造工藝環(huán)節。從碳化硅粉末,到終變成高剛度、高面形精度的4米 

碳化硅 409212 ChemicalBook

重結晶碳化硅磚是以高純碳化硅(SiC≥99%)為原料,采用濕法超細磨粉料調漿、澆注工藝,經(jīng)超高溫燒成,因而此種磚具有比氮化硅結合的碳化硅磚更高的高溫斷裂 

我國第三代半導體材料制造設備取得新突破

近日,863 計劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域"大尺寸SiC 材料與器件的制造設備與工藝技術(shù) 通常,國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體材料稱(chēng)之為第三代半導.

3D SiC 碳化硅工藝技術(shù)頭條百科

2018年7月23日 3D SiCTM是深圳基本半導體有限公司獨有的碳化硅（SiC）工藝技術(shù),能夠充分利用碳化硅的材料潛力,實(shí)現更高功率和更低損耗。通過(guò)掩埋摻雜柵極 

碳化硅 STMicroelectronics

隨著(zhù)市場(chǎng)競爭愈演愈烈,基礎材料的成本不斷降低,碳化硅的供應鏈變得越來(lái)越穩健。意法半導體一直在努力改善材料和工藝質(zhì)量。隨著(zhù)材料和基于SiC技術(shù)的產(chǎn)品 變 

修改：功率器件必讀：SiC材料、工藝及功率器件簡(jiǎn)介 求是緣半導體

2017年1月16日 SiC作為半導體器件中的重要材料,在高溫、功率、發(fā)光等領(lǐng)域都有著(zhù)廣泛應用。采用SiC 材料制成的MESFET、MOSFET、JFET、BJT等元件的工作 

我國研制出4米大口徑碳化硅非球面光學(xué)反射鏡新華網(wǎng) 新華社

2018年8月21日 經(jīng)歷數百次實(shí)驗探索與工藝驗證,項目研發(fā)團隊突破了一系列關(guān)鍵技術(shù),建立了大口徑碳化硅鏡坯制造平臺,并先后研制成功2米、3米單體碳化硅鏡 

研究人員發(fā)現低成本生產(chǎn)SiC的工藝電子工程專(zhuān)輯

2017年9月28日 為了降低SiC的制造成本,美國北卡羅萊納州立大學(xué)的研究人員設計了一種PRESiCE工藝,并搭配TI XFab實(shí)現低成本的SiC功率MOSFET