mos管關(guān)斷瞬間擊穿 其實(shí)MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應而帶電,又因在靜電較強的場(chǎng)合難于泄放電荷,容易引N型mos : AO3400 P型mos : AO3401 中間出現了不能關(guān)斷的癥狀,也在百度上找過(guò)答案,發(fā)現大家都覺(jué)得是電路問(wèn)題,我一開(kāi)始也認為是電路問(wèn)題,經(jīng)過(guò)反復折騰,發(fā)現問(wèn)題本實(shí)用新型涉及一種抑制MOS管關(guān)斷尖峰的電路,包括兩路吸收電路和控制吸收電路,其中一路吸收電路在吸收MOS關(guān)斷尖峰時(shí)會(huì )分流控制吸收電路對關(guān)斷尖峰進(jìn)行分流吸收,同時(shí)觸發(fā)另

驅動(dòng)電阻上限值的計算原則為:防止mos管關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生很大的dV/dt使得mos管再次誤開(kāi)通。 當mos管關(guān)斷時(shí),其DS之間的電壓從0上升到Vds(off),因此有很大的dV/dt,根據公式:i=C*dV/dt,該dV/dt會(huì )在Cgd上產(chǎn)生1. 當A點(diǎn)為低電平時(shí),B點(diǎn)能得到5V電壓而當A點(diǎn)為高電平時(shí),漏極并沒(méi)有完全關(guān)斷,B點(diǎn)還有1.8V。如果不連外部模塊,B點(diǎn)是可以得到0V的。2. 如果源極電壓低于5V,那么當它可以加速MOS謝謝管關(guān)斷的功效 推動(dòng)電阻主要是讓步MOS管管通量略有減慢,以防過(guò)度推動(dòng)。這樣做的好處是避免電磁兼容性測試中的輻射源問(wèn)題,并連接一個(gè)電阻以加

此時(shí),我們還能夠探討一下出現如圖5這樣的"臨界值"(即有一個(gè)MOS管關(guān)斷)出現的條件是什么,也是上面各個(gè)曲線(xiàn)出現"非線(xiàn)性"時(shí)候所對應的輸入電壓V_{in1}V_{in2}是什么。 我們可以在某些調諧條件下,當一個(gè) mos 管 關(guān)閉而另一個(gè)器件打開(kāi)時(shí),這會(huì )導致電流"續流"通過(guò) mos 管的內部體二極管。 這個(gè)原本不是什么問(wèn)題,但當對面的 mos 管 試圖開(kāi)啟時(shí),內部體二極管的緩當輸入電容充電到開(kāi)啟電壓時(shí)功率MOSFET才能開(kāi)啟,同樣放電到某個(gè)值時(shí)功率MOSFET才能關(guān)斷。因此驅動(dòng)電路和Ciss是影響功率MOSFET的開(kāi)啟和關(guān)斷的主要因素。 Coss:輸出電容,是當柵極和

mos管關(guān)斷時(shí)間有多大 mos管關(guān)斷時(shí)間有多大,答:mos管導的開(kāi)關(guān)頻率不是固定。理論上可以達到幾十MHz或以上,原來(lái)的模擬示波器輸入端用MOS管,這樣輸入阻抗高,有5IGBT在關(guān)斷過(guò)程中,漏極電流的波形變?yōu)閮啥巍?段是按照MOS管關(guān)斷的特性的 段是在MOSFET關(guān)斷后,PNP晶體管上存儲的電荷難以迅速釋放,造成漏極電流較長(cháng)的尾部時(shí)間。 在上面的表mos管無(wú)法關(guān)斷,這個(gè)不是BQ24172的,是一個(gè)DC_5V和USB_5V的切換電路,當USB_5V這一路去掉時(shí),結果還存在4.6V的電壓,因此懷疑是通過(guò)MOS管倒灌過(guò)來(lái)的。 另外,再請教個(gè)BQ24172的問(wèn)這

mos管無(wú)法關(guān)斷,脈沖頂部的形狀像是RC電路電容充電的波形。所以,很可能是MOS管已經(jīng)徹底關(guān)斷,電路中存在電容,與漏極A圖是的,這時(shí)Vds剛好下降到零時(shí)來(lái)驅動(dòng)信號,實(shí)現了比較好的ZVS效果B圖可以看到VDS無(wú)法下降到零,說(shuō)明MOS管在關(guān)斷時(shí)的激磁電流過(guò)小,無(wú)法將輸出電容的能量完全抽走,所以需要增加關(guān)四、 MOS 管的驅動(dòng)應用 4.1 直接驅動(dòng) 4.2 推挽式驅動(dòng) 4.3 柵極驅動(dòng)加速電路 4.4 PNP關(guān)斷電路 五、 小結 MOS 管作為半導體領(lǐng)域基礎的器件之一,無(wú)論是在 IC 設計里,還是板級電路應用

MOS管要用推挽驅動(dòng)方式才能徹底關(guān)斷或導通,不能用三極管,用三極管必有上拉電阻或下拉電阻無(wú)法做到真正個(gè)人理解你是想實(shí)現低壓控制信號,控制高壓的開(kāi)關(guān)。這個(gè)需要一個(gè)PMOS管和一個(gè)NOMS管,你連接太亂,確實(shí)1、若在方塊位置斷開(kāi)則不會(huì )截止。 2、若在圓圈位置斷開(kāi)仍無(wú)法關(guān)斷,可嘗試短路G和S,看能否關(guān)斷。 3、仍無(wú)法關(guān)斷,檢查MOS管D和S是否接反。 4、若都不可,確認型號

H03K 17/687(2006.01) (54)實(shí)用新型名稱(chēng) 可快速關(guān)斷的MOS管驅動(dòng)電路 (57)摘要 本實(shí)用新型公。 2、開(kāi)了一種可快速關(guān)斷的MOS管 驅動(dòng)電路, 包括MOS管、 開(kāi)關(guān)電路、 電阻和第 三電本文MOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析,首先簡(jiǎn)單介紹常規的基于柵極電荷的特性,理解MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)程,然后從漏極導通特性、也是放大特性曲線(xiàn),來(lái)主頁(yè) UC 而MOS管的柵極電壓指得是GD端的電壓 管會(huì ) 此時(shí)測量運放輸出大概有0.3V電壓,沒(méi)有輸出負壓,測量運放正負端電壓 求助 電池開(kāi)關(guān)MOS管無(wú)法關(guān)斷 單電源供

1、若在方塊位置斷開(kāi)則不會(huì )截止。 2、若在圓圈位置斷開(kāi)仍無(wú)法關(guān)斷,可嘗試短路G和S,看能否關(guān)斷。 3、仍無(wú)法關(guān)斷,檢查MOS管D和S是否接反。 4、若都不可,確認型號1. 當A點(diǎn)為低電平時(shí),B點(diǎn)能得到5V電壓；而當A點(diǎn)為高電平時(shí),漏極并沒(méi)有完全關(guān)斷,B點(diǎn)還有1.8V。如果不連外部模塊,B點(diǎn)是可以得到0V的。2. 如果源極電壓低于5V,那(一般不大于100K)。(如果這個(gè)電阻有問(wèn)題可能會(huì )造成MOS管無(wú)法正常關(guān)斷)。

還有一個(gè)方法是再增加一個(gè)背靠背的MOS管,利用MOS管低導通電阻來(lái)達到節能的目的,這一特性另一個(gè)常見(jiàn)的應用為低壓同步整流。 MOS失效原因: 1、雪崩失效(電壓失效),也是我們常說(shuō)的漏三極管漏電流導致MOS無(wú)法關(guān)斷,根源在于開(kāi)關(guān)電源紋波過(guò)大,做兩個(gè)項目,傳感器測試儀和電機測試儀,cortexA8架構,Android操作系統,手持外形設計。硬件做到假設過(guò)流了,9腳出現高電平MOS關(guān)斷,結果沒(méi)輸出電壓過(guò)流消失,9腳電平又為低,MOS管又導通,電路實(shí)現

怎么做到MOS管的快速開(kāi)啟和關(guān)閉呢?對于一個(gè)MOS管,如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開(kāi)啟電壓所用的時(shí)間越短,那么MOS管開(kāi)啟的速度會(huì )越快。與此類(lèi)似,如果把MOS管的GS電壓從開(kāi)啟電壓從仿真可以看出,Vgs有一個(gè)很明顯的平臺區,這個(gè)平臺區是大家所熟知的米勒平臺區,它會(huì )影響MOS管的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程。對于這個(gè)平臺區,在開(kāi)關(guān)電源中會(huì )引起較大的開(kāi)關(guān)損耗,這是它不利的1、若在方塊位置斷開(kāi)則不會(huì )截止。 2、若在圓圈位置斷開(kāi)仍無(wú)法關(guān)斷,可嘗試短路G和S,看能否關(guān)斷。 3、仍無(wú)法關(guān)斷,檢查MOS管D和S是否接反。 4、若都不可,確認型號