我國研制出4米大口徑碳化硅非球面光學(xué)反射鏡新華網(wǎng) 新華社

2018年8月21日 我國研制出4米大口徑碳化硅非球面光學(xué)反射鏡探索9年、經(jīng)18個(gè)月加工" 碳化硅表面改性鍍膜的制造設備研制與制造工藝研究,形成了具有自主 

中車(chē)時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設備技術(shù)調試完成 電子發(fā)燒友

2018年1月15日 近日,中車(chē)時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設備技術(shù)調試完成,標志著(zhù)SiC芯片生產(chǎn)線(xiàn)全線(xiàn)設備、工藝調試圓滿(mǎn)完成,具備SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)條件, 

河北靈壽碳化硅微粉生產(chǎn)工藝 雷蒙磨粉機

整個(gè)碳化硅微粉生產(chǎn)工藝流程運行高效,物料在各個(gè)設備之間高效流通,人員操作方便,整條生產(chǎn)線(xiàn)的占地面積小,節省土地投資成本。公司為河北用戶(hù)組建的碳化硅 

半導體科普五半導體材料、工藝和設備 知乎專(zhuān)欄

2018年7月2日 第三代半導體材料有氮化鎵（GaN）,金剛石（也叫鉆石）,碳化硅（SiC,也叫 實(shí)現以上工藝的設備有,氧化爐、光刻機、顯影機、刻蝕機、鍍膜機、注入 

西格里集團SGL CARBON SGL Group

碳/碳化硅是一種復合材料,其將碳纖維結合在陶瓷基料中,并將材料的物理特性發(fā)揮 形狀接近幾何公差的結構部件 高溫應用部件 化學(xué)工藝設備用部件 航空航天 

我國研制出4米大口徑碳化硅非球面光學(xué)反射鏡新華網(wǎng) 新華社

2018年8月21日 我國研制出4米大口徑碳化硅非球面光學(xué)反射鏡探索9年、經(jīng)18個(gè)月加工" 碳化硅表面改性鍍膜的制造設備研制與制造工藝研究,形成了具有自主 

碳化硅 北京世紀金光半導體有限公司

【金光炫技】 "世紀金光"碳化硅晶片劃片裂片工藝再添新高！ 材料劃裂片方案,引進(jìn)國際上先進(jìn)的SiC劃片裂片設備,建立了國內條SiC晶圓劃裂片量產(chǎn)生產(chǎn)線(xiàn)。

中國首條6英寸SiC芯片生產(chǎn)線(xiàn)完成技術(shù)調試_中國半導體照明網(wǎng)

2017年12月22日 時(shí)代電氣半導體事業(yè)部SiC芯片線(xiàn)已于12月份完成全部工藝能力調試。 一系列高難度、高危險的任務(wù),為SiC工藝設備提供源源不斷、穩定可靠的" 

碳化硅陶瓷的特種制備技術(shù) 行業(yè)新聞 先進(jìn)陶瓷展官網(wǎng) 工業(yè)陶瓷展會(huì )

碳化硅陶瓷材料具有高溫強度大,高溫抗氧化性強,耐磨損性能好,熱穩定性,熱彭 除引燃外無(wú)需外部熱源,具有耗能少、設備工藝簡(jiǎn)單、生產(chǎn)率高的優(yōu)點(diǎn),其缺點(diǎn)是目 

全球碳化硅晶片的主要生產(chǎn)商之一 北京天科合達半導體股份有限公司

公司依托于中國科學(xué)院物理所十余年在碳化硅領(lǐng)域的研究成果,集技術(shù)、管理、市場(chǎng)和 全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會(huì )材料分會(huì )會(huì )員單位 中關(guān)村國家自主創(chuàng )新 自行研發(fā)了碳化硅晶片加工的關(guān)鍵工藝技術(shù)：針對超硬的碳化硅,選取適當 

4米量級高精度SiC非球面反射鏡制造系統 中國科學(xué)院院刊

在張學(xué)軍研究員帶領(lǐng)下,歷經(jīng)8年技術(shù)攻關(guān),研究團隊完成了SiC鏡坯制備、非球面加工檢測、SiC表面改性和反射鏡表面鍍膜的制造設備研制與制造工藝研究,形成了4 

我國碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備研發(fā)取得重大進(jìn)展 國家科技部

2018年5月6日 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)是全球戰略競爭新的制高點(diǎn)。 同時(shí),設備的銷(xiāo)售價(jià)格可控制在同類(lèi)進(jìn)口設備的2/3以下,有力支撐了國內SiC 減薄、切割、磨拋等關(guān)鍵工藝裝備與工藝整合研究,為SiC器件制造整線(xiàn)裝備的 

碳化硅干燥項目 化工行業(yè) 常州市凱亞干燥設備有限公司

碳化硅干燥生產(chǎn)線(xiàn)是我公司為克服靜態(tài)干燥低效、高耗而研制開(kāi)發(fā)的新型高效流態(tài) 揚長(cháng)避短,使整機具有合理的工藝結構和優(yōu)越的使用性能,真正實(shí)現流態(tài)化干燥的 

我國第三代半導體材料制造設備取得新突破 中國日報網(wǎng) 金融頻道

2017年10月24日 尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究"課題通過(guò)了技術(shù)驗收。 通常,國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱(chēng)之為 

碳化硅_百度百科

碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料,但其應用范圍 高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是專(zhuān)用的碳化硅電爐,其結構由爐底、 

我成功研制世界口徑單體碳化硅反射鏡新華網(wǎng) 新華社

2018年8月23日 這是公開(kāi)報道的世界上口徑碳化硅單體反射鏡,標志我國光學(xué)系統制造 碳化硅表面改性鍍膜的制造設備研制與制造工藝研究,形成了具有自主 

功率器件工藝材料雙雄并起：SiC和GaN基礎器件與非網(wǎng)

碳化硅（SiC）俗稱(chēng)金剛砂,為硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然 技術(shù)比較困難；工藝裝置特殊要求,技術(shù)標準高,例離子注入,外延設備,激光曝光光 

碳化硅

金蒙新材料公司是以生產(chǎn)碳化硅微粉為主的高新技術(shù)企業(yè),擁有完善的碳化硅微粉生產(chǎn)線(xiàn)和工藝技術(shù)。金蒙建有質(zhì)量檢測,配備了專(zhuān)業(yè)的檢測設備。年產(chǎn)碳化硅 

SiC器件定制 BASiC l 基本半導體碳化硅功率器件領(lǐng)軍品牌

完整的4/6寸生產(chǎn)流程線(xiàn),擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設備,提供完整的器件生產(chǎn)或部分工藝步驟定制；. ? 全生產(chǎn)流程可控, 

SiC器件定制 BASiC l 基本半導體碳化硅功率器件領(lǐng)軍品牌

完整的4/6寸生產(chǎn)流程線(xiàn),擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設備,提供完整的器件生產(chǎn)或部分工藝步驟定制；. ? 全生產(chǎn)流程可控, 

【行業(yè)分享】備受期待的碳化硅功率器件行業(yè)動(dòng)態(tài)ROHM技術(shù)社區

2018年5月30日 在當代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應用廣泛、經(jīng)濟的一種。 其他用途,例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機葉輪或汽缸體的內壁,可提高其 . 當然還有配套的設備、材料等環(huán)節,本期不做介紹。

我國第三代半導體材料制造設備取得新突破 中國日報網(wǎng) 金融頻道

2017年10月24日 尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究"課題通過(guò)了技術(shù)驗收。 通常,國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱(chēng)之為 

中車(chē)時(shí)代電氣6英寸碳化硅（SiC）生產(chǎn)線(xiàn)首批芯片試制成功_首頁(yè)_株洲中

2018年1月30日 時(shí)代電氣半導體事業(yè)部6英寸碳化硅（SiC）生產(chǎn)線(xiàn)是國內首條6英寸SiC 芯片結構設計、高溫離子注入機等50余臺工藝設備和90余項工藝調試, 

時(shí)代電氣6英寸碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)化基地技術(shù)調試圓滿(mǎn)完成_首頁(yè)_手機端

2017年12月22日 12月10日,時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設備技術(shù)調試完成,標志著(zhù)SiC芯片生產(chǎn)線(xiàn)全線(xiàn)設備、工藝調試圓滿(mǎn)完成,具備SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)條件 

研究人員發(fā)現低成本生產(chǎn)SiC的工藝電子工程專(zhuān)輯

2017年9月28日 為了降低SiC的制造成本,美國北卡羅萊納州立大學(xué)的研究人員設計了一種PRESiCE工藝,并搭配TI XFab實(shí)現低成本的SiC功率MOSFET